特許

J-GLOBAL ID：200903015856763024

III族窒化物系半導体結晶の製造方法及びハイドライド気相成長装置

発明者： 江利 健 ,  柴田 真佐知
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-031830
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223243
出願日： 2004年02月09日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】 石英部材を使用した結晶成長炉を用いて、優れた制御性及び再現性でもって珪素元素をドープしながら、容易にかつ低いコストでIII族窒化物系半導体結晶をハイドライド気相成長法により製造できる方法及び装置を提供する。【解決手段】 III族金属ハロゲン化物形成用のハロゲン化水素の供給管30と異なる第二の供給管20から、結晶成長炉1にさらにハロゲン化水素を導入し、耐熱性珪素含有材料からなる流通管2に通して基板5上に導き、流通管2に含まれている珪素元素をIII族窒化物系半導体結晶9にドープする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

結晶成長炉中に載置したIII族金属ソースにハロゲン化水素を供給し、両者を反応させて前記III族金属のハロゲン化物を生成させ、得られた前記III族金属ハロゲン化物と含窒素化合物ガスを気相反応させて、基板上にIII族窒化物結晶を成長させるハイドライド気相成長法によりIII族窒化物系半導体結晶を製造する方法において、前記III族金属ハロゲン化物生成用のハロゲン化水素の供給管と異なる第二の供給管から前記結晶成長炉にさらにハロゲン化水素を導入し、耐熱性珪素含有材料からなる流通管に通して前記基板上に導くことにより、前記流通管に含まれている珪素元素を前記III族窒化物系半導体結晶にドープすることを特徴とするIII族窒化物系半導体結晶の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34

Fターム (21件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA20 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045CA09 ,  5F045DA60 ,  5F045EE13 ,  5F045EF09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-252664   出願人：日本電気株式会社
• 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-144151   出願人：住友電気工業株式会社