特許
J-GLOBAL ID：200903015867403941

トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法およびメモリ素子の製造方法

発明者：
島沢 幸司

島沢 幸司 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 星宮 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-008642
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203408
出願日： 2000年01月18日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 特性を劣化させることなく、トンネルバリア層の厚さを小さくする。【解決手段】 TMR素子3は、下部ギャップ層2の上に形成されたフリー層11と、このフリー層11の上に形成されたトンネルバリア層12と、このトンネルバリア層12の上に形成されたピンド層13とを有している。フリー層11の上にトンネルバリア層12を形成する工程では、基板10を冷却しながら、フリー層11の上に、トンネルバリア層12の形成のために用いられるAl層を、例えばスパッタリングによって形成し、このAl層を酸化させてトンネルバリア層12とする。
請求項（抜粋）：
トンネルバリア層と、前記トンネルバリア層を挟むように配置された第1および第2の磁性層とを備えたトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法であって、基板に対して前記第1の磁性層を形成する工程と、前記第1の磁性層の上に前記トンネルバリア層を形成する工程と、前記トンネルバリア層の上に前記第2の磁性層を形成する工程とを含み、前記トンネルバリア層を形成する工程は、前記基板を冷却しながら、もしくは基板が冷却された状態で、前記第1の磁性層の上に前記トンネルバリア層の形成のために用いられる材料よりなる層を形成する工程を含むことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32
FI (4件)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32
Fターム (16件)：
5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5E049GC01
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)

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