特許
J-GLOBAL ID：200903016401100066
磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-276238
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190090
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】【解決手段】 メモリ・セルや外部磁界センサとして使用可能な磁気トンネル接合素子のトンネル磁気抵抗応答は、印加磁界の関数として、ゼロ磁界を中心に事実上対称である。磁気トンネル接合は2つの強磁性層で構成され、1つはそのモーメントが固定され、もう1つはそのモーメントが自由に回転可能である。強磁性層の間の絶縁トンネル・バリア層により層に垂直にトンネル電流が流れる。トンネル・バリア層と強磁性層の1つの界面に非強磁性層が位置する。非強磁性層は界面のトンネル・バリア層と強磁性層の間隔を広げ、よって固定強磁性層と自由強磁性層の磁気結合を弱くする。この磁気結合は、ゼロ磁界回りの非対称なトンネル磁気抵抗応答の原因とされている。非強磁性界面層はトンネル・バリア層界面でスピン偏極していない電子状態を現すが、予想外にトンネル磁気抵抗を抑制する原因になることはない。
請求項（抜粋）：
印加磁界が存在するとき磁化が好適な方向に固定された固定強磁性層を含む第1電極と、印加磁界が存在するとき磁化が自由に回転可能な自由強磁性層を含む第2電極と、前記第1電極の固定強磁性層と、前記第2電極の自由強磁性層の間に位置し、前記固定強磁性層と自由強磁性層にほぼ垂直な方向にトンネル電流を流すことのできる絶縁トンネル層と、前記絶縁トンネル層と前記強磁性層の1つの間に位置し且つそれらと接触して間隔を広げ、よって前記固定強磁性層と自由強磁性層の磁気結合を弱くする、非強磁性界面層と、前記第1及び第2の電極、トンネル層、並びに非強磁性界面層が上側に形成された基板と、を含む、磁気トンネル接合素子。
IPC (5件)：
H01L 43/00
, G01R 33/06
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/16
H01L 43/00
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/16
, G01R 33/06 Z
