特許
J-GLOBAL ID：200903015874664718
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180501
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027843
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】 BPSG膜の吸湿を防止するとともに配線層の断線を防止する。【解決手段】 半導体基板3の表面上にBPSG膜13と絶縁層1とが形成されている。このBPSG膜13と絶縁層1とには半導体基板3の表面に形成された不純物拡散領域7、9に達するコンタクトホール19が形成されている。このコンタクトホール19を通じて不純物拡散領域7、9と電気的に接続するように配線層17が形成されている。絶縁層1は、6nm以上80nm以下の膜厚を有している。
請求項（抜粋）：
主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成された導電領域と、前記半導体基板の主表面に形成され、かつ平坦化された表面を有する、不純物を含むシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜上に形成された絶縁層とを備え、前記シリコン酸化膜と前記絶縁層とは、前記シリコン酸化膜と前記絶縁層とを貫通して前記導電領域表面に達する開孔を有し、さらに、前記開孔を通じて前記導電領域と電気的に接続するように前記絶縁層上に形成された配線層を備え、前記絶縁層は6nm以上80nm以下の膜厚を有している、半導体装置。
引用特許：
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