特許
J-GLOBAL ID：200903015877345532
電圧依存性非直線抵抗体磁器の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-378732
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184611
出願日： 2000年12月13日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 電気的特性が優れておりかつ高い撓み強度と耐サーマルショック性に優れたバリスタ磁器の製造方法を提供する。【解決手段】 Sr、Ba及びCaのうちの少なくとも1種とTiとを含む原料粉末を所定組成となるように秤量して混合処理し、仮焼成処理した後、粉砕処理して成型処理し、得られた成型体を還元焼成処理し、再酸化処理してバリスタ磁器を製造する方法、又はSr、Ba及びCaのうちの少なくとも1種とTiとを含む原料粉末を秤量して混合処理し、仮焼成処理した後、成分の一部を添加し、所定組成となるように調整処理した後、粉砕処理して成型処理し、得られた成型体を還元焼成処理し、再酸化処理してバリスタ磁器を製造する方法であって、上述の粉砕処理が粉砕後の粒子の比表面積が0.5〜5.0m2/gとなるように粉砕する処理であり、上述の成型処理が成型体密度を2.80〜3.40g/cm3となるように成型する処理であるバリスタ磁器の製造方法が提供される。
請求項（抜粋）：
Sr、Ba及びCaのうちの少なくとも1種とTiとを含む原料粉末を所定組成となるように秤量して混合処理し、仮焼成処理した後、粉砕処理して成型処理し、該成型体を還元焼成処理し、再酸化処理して電圧依存性非直線抵抗体磁器を製造する方法であって、前記粉砕処理が粉砕後の粒子の比表面積が0.5〜5.0m2/gとなるように粉砕する処理であり、前記成型処理が成型体密度を2.80〜3.40g/cm3となるように成型する処理であることを特徴とする電圧依存性非直線抵抗体磁器の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (34件)：
4G030AA02
, 4G030AA03
, 4G030AA08
, 4G030AA09
, 4G030AA10
, 4G030AA11
, 4G030AA12
, 4G030AA13
, 4G030AA14
, 4G030AA16
, 4G030AA20
, 4G030AA21
, 4G030AA23
, 4G030AA24
, 4G030AA25
, 4G030AA27
, 4G030AA28
, 4G030AA29
, 4G030AA31
, 4G030AA32
, 4G030AA34
, 4G030AA37
, 4G030BA04
, 4G030GA03
, 4G030GA11
, 4G030GA34
, 5E034CA08
, 5E034CB01
, 5E034CC11
, 5E034CC12
, 5E034DA03
, 5E034DC01
, 5E034DE03
, 5E034DE05
