特許
J-GLOBAL ID：200903015882854070
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 敬一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-106396
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291898
出願日： 2000年04月07日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子の外部量子効率を改善する。【解決手段】 半導体発光素子は、低抵抗性基板(2)と、低抵抗性基板(2)の一方の主面に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る第一の導電形の第一の半導体領域(3)と、活性層(4)と、窒化ガリウム系化合物半導体から成る第一の導電形と反対の第二の導電形の第二の半導体領域(5)とが積層されて成る半導体基体(1)とを有する。半導体基体(1)の一方の主面の一部に酸化チタンから成る絶縁膜(6)が形成され、絶縁膜(6)と半導体基体(1)の一方の主面は光透過性を有する電極(7)によって被覆される。酸化チタンにより構成される高抵抗領域(6)の直下に流れる電流を良好に遮断して、外部量子効率が改善される。
請求項（抜粋）：
低抵抗性基板と、該低抵抗性基板の一方の主面に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る第一の導電形の第一の半導体領域と、活性層と、窒化ガリウム系化合物半導体から成る第一の導電形と反対の第二の導電形の第二の半導体領域とが積層されて成る半導体基体とを有し、前記半導体基体の一方の主面の一部に酸化チタンから成る絶縁膜が形成され、絶縁膜と半導体基体の一方の主面が光透過性を有する電極によって被覆されたことを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041DA07
