特許
J-GLOBAL ID：200903015914839451

窒素のバリアを形成することにより、半導体構成要素中へのホウ素の拡散を防止する方法、およびそのようにして得られた半導体構成要素

発明者：
マルク ベランゲ

マルク ベランゲ について


出願人/特許権者：
フランス テレコム

フランス テレコム について


代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-337342
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189279
出願日： 2000年11月06日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】半導体構成要素の製造時に、ドーパントとしてホウ素を含む半導体構成要素の第1の領域と該第1の領域に隣接する構成要素の第2の領域の間でのホウ素の拡散を防止する方法の提供。【解決手段】第1の領域または第2の領域を低圧での窒素と水素の混合物による処理で処理して。該処理された面上に窒素原子の細分された層を形成し、その後、処理された面上に第2の領域または第1の領域を形成する。
請求項（抜粋）：
ドーパントとしてホウ素を含む半導体構成要素の第1の領域または該第1の領域に隣接する第2の領域を、低圧で窒素と水素の混合物で処理し、該処理された面上に窒素原子の細分された層を形成し、その後該処理された面上に該第2の領域または該第1の領域を形成することにより、半導体構成要素の製造時に、該第1の領域と該第2の領域の間でホウ素が拡散するのを防止する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/22 ,  H01L 21/28 301
FI (2件)：
H01L 21/22 Z ,  H01L 21/28 301 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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