特許

J-GLOBAL ID：200903015923392583

半導体装置およびその製造方法

発明者： 菰渕 寛仁 ,  茶谷 吉和 ,  山田 隆博 ,  西尾 利恵子 ,  魚住 浩明 ,  桝山 雅之 ,  山口 ▲琢▼己 ,  尾上 順一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-330336
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210877
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 熱検出部を高密度に配置できる半導体装置を、シリコン量産プロセスとの整合性に優れた方法により製造する。【解決手段】シリコン基板10と、シリコン酸化膜1を含む断熱層と、熱検出部8とを含み、断熱層が、空洞5または開口の径よりも内部の径が大きい孔4を有し、空洞または孔の少なくとも一部がシリコン酸化膜1内に形成されている半導体装置とする。この断熱層は、シリコン多結晶膜3およびシリコン酸化膜1にドライエッチングにより孔を形成し、少なくともシリコン多結晶膜3の孔4の開口に接する部分を酸化して、開口を閉塞して空洞5とするか、または開口の径を内部の径よりも小さくすることにより形成できる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された、シリコン酸化膜を含む断熱層と、前記断熱層上に形成された熱検出部とを含み、前記断熱層が、空洞または開口の径よりも内部の径が大きい孔を有し、前記空洞または前記孔の少なくとも一部が前記シリコン酸化膜内に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 35/02 ,  G01J 1/02 ,  G01J 5/48 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/148 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H01L 37/02

FI (8件)：

H01L 35/02 ,  G01J 1/02 Q ,  G01J 5/48 F ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34 ,  H01L 37/02 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 熱型赤外線固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-049948   出願人：日本電気株式会社
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-295122   出願人：松下電器産業株式会社
• 赤外線検知素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-172500   出願人：日産自動車株式会社
• 内燃機関の始動装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-306205   出願人：トヨタ自動車株式会社