特許

J-GLOBAL ID：200903015933640348

光導波路装置の製造方法

発明者： 永田 清一 ,  堂本 千秋 ,  西村 剛太 ,  岩目地 和明
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-105871
公開番号（公開出願番号）：特開平9-292540
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 製造工程や構造が煩雑で、装置としての再現性が悪く、さらに装置が高価になるという問題があった。【解決手段】 結晶性シリコン基板の一主面上に多孔質シリコン層を形成する工程、この多孔質シリコン層上に不純物含有層を部分的に形成する工程、この多孔質シリコン層を酸化して不純物含有層部分が高屈折率を呈するような酸化シリコン層を形成する工程を有する。また、前記多孔質シリコン層上に不純物含有層を部分的に形成するにあたっては、前記多孔質シリコン層上に不純物含有層の付着障壁層を部分的に形成した後に、前記多孔質シリコン層上に不純物含有層を形成して前記不純物含有層の付着障壁層を除去したり、前記多孔質シリコン層上に不純物含有層を形成した後に、この不純物含有層を選択的に除去することにより形成される。

請求項（抜粋）：

結晶性シリコン基板の一主面上に多孔質シリコン層を形成する工程、この多孔質シリコン層上に不純物含有層を部分的に形成する工程、この多孔質シリコン層を酸化して前記不純物含有層部分が高屈折率を呈するような酸化シリコン層を形成する工程を有することを特徴とする光導波路装置の製造方法。

IPC (2件)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/12

FI (2件)：

G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 N