多孔質シリコン光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-138338
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335713
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】構成が単純で、高集積化・大面積化が容易であり、さらに製造が容易で、且つ安価な、光機能性に優れた多孔質シリコン光素子を提供する。【構成】シリコン基板の表面をHF水溶液中において陽極酸化処理して多孔質化したシリコン基板において、不純物濃度分布または陽極酸化条件を変更して、深さ方向に屈折率を制御する。

請求項（抜粋）：

表面が多孔質化されているシリコン基板を有するシリコン光素子であって、表面から深さ方向に屈折率が制御されて超格子構造が形成されていることを特徴とする多孔質シリコン光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , G02B 6/12 , H01L 31/10 , H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 A , H01S 3/18 , G02B 6/12 N , H01L 31/10 A

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-252477 出願人：新技術事業団

審査官引用 (1件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-252477 出願人：新技術事業団

引用文献：

出願人引用 (4件)

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審査官引用 (4件)

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