特許

J-GLOBAL ID：200903015949420950

SOI基板の製造方法

発明者： 須藤 充 ,  中井 哲弥 ,  新行内 隆之
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210454
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064322
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 埋込みシリコン酸化層中にシリコンの析出物が無く、かつ基板表面である単結晶シリコン層表面及び基板内部のこの単結晶シリコン層と埋込みシリコン酸化層との界面の粗さが小さいSOI基板を工程数を増やさずに量産する。【解決手段】 シリコン基板11内部に高濃度の酸素イオンを注入した後、アニール処理してこのシリコン基板11表面から所定の深さの領域に埋込みシリコン酸化層12を形成し、この基板表面に活性なSi層11aを形成するSIMOX技術による。上記酸素イオンの注入回数及びアニール処理回数はそれぞれ1回であって、酸素イオンを注入する加速電圧が120〜180keVでありかつアニール処理が1350°C以上シリコンの融点未満の温度で2〜6時間行われる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板(11)内部に酸素イオンを注入した後、ArとO2の混合ガス雰囲気中でアニール処理することにより前記シリコン基板(11)表面から所定の深さの領域に埋込みシリコン酸化層(12)を形成して前記基板表面に活性なSi層(11a)を形成するSOI基板の製造方法において、前記酸素イオンの注入回数及び前記アニール処理回数はそれぞれ1回であって、前記酸素イオンを注入する加速電圧が120〜180keVでありかつ前記アニール処理が1350°C以上シリコンの融点未満の温度で2〜6時間行われることを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 27/12 E ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/76 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SOI 基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-234415   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-237896   出願人：新日本製鐵株式会社