特許

J-GLOBAL ID：200903015969561223

半導体装置及びその製造方法

発明者： 羽賀 彰 ,  鈴木 克信
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103755
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306721
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】低熱抵抗でしかも短納期で組立を行えるようにする。【構成】表面12側は、中央部には裏面11と互いに平行な平坦部13を有する構造と、周囲部は放熱板外端に向かって板厚が増加もしくは減少するような傾斜部14を設ける構造とを有する放熱板と、パッケージ中央部に放熱板中央の平坦部よりも小さな開口窓20を設ける構造と、配線パターン外側から1〜5mm内側の絶縁フィルムにか開口スリット19を設ける構造と、4辺の開口スリット19で囲まれた領域が、放熱板外形寸法よりも大きい構造とを有するフィルムキャリアパッケージ2と、放熱板1の傾斜部と契合する傾斜部18を有する押さえ枠3とを用いて、フィルムキャリアパッケージのリード部を、放熱板1の傾斜部14と押さえ枠3の傾斜部18とではさみ込んだ形で固定する。

請求項（抜粋）：

放熱板の表面のうち略中央部分に半導体チップを直接固着し、前記中央部分を除く表面に絶縁性フィルムを介して多数の配線パターンを固着し、前記表面のうち周端部と対向した面を有する絶縁性の押さえ枠を少なくとも前記配線パターンに固着し、前記半導体チップと前記配線パターンとがワイヤでボンディングされて樹脂で封止されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/60 301 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-310588   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-088345
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-357078   出願人：新光電気工業株式会社
• 特開平2-089348