特許

J-GLOBAL ID：200903015984024064

超音波トランスデューサおよびその製造方法

発明者： 町田 俊太郎 ,  福田 宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-019286
公開番号（公開出願番号）：特開2006-211185
出願日： 2005年01月27日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】 アレイ状に配列されたCMUTをそれぞれ独立して制御するために、CMUTの下部電極を分割する場合、CMUTの動作信頼性が低下することを防止できる技術を提供する。また、空洞部の絶縁膜(メンブレン)に突形状あるいはへこみ形状の歪みを生じることを防止する技術を提供する。【解決手段】 各CMUTを独立に制御するために分割された下部電極1008の大きさを空洞部1009の大きさよりも大きくすることを特長とする。また、CMUTの上部電極1011の大きさを空洞部1009の大きさよりも大きくすることも特長とする。【選択図】 図18

請求項（抜粋）：

(a)個々の超音波トランスデューサで独立して制御できる第1電極と、 (b)前記第1電極上に形成された空洞層と、 (c)前記空洞層を覆うように形成された絶縁膜と、 (d)前記絶縁膜上に形成された第2電極とを備え、 前記第2電極の大きさは前記空洞層の大きさよりも大きいことを特徴とする超音波トランスデューサ。

IPC (2件)：

H04R 17/00 ,  H04R 31/00

FI (3件)：

H04R17/00 330H ,  H04R17/00 332A ,  H04R31/00 330

Fターム (3件)：

5D019AA25 ,  5D019BB26 ,  5D019BB29

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第6320239B1号明細書
  
• 米国特許第6571445B2号明細書
  
• 米国特許第6562650B2号明細書
  

審査官引用 (2件)

• 集積回路チップ上の他の回路コンポーネント上に形成されたマイクロ加工トランスデューサおよびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-506269   出願人：センサント・コーポレイション
• 静電容量型圧力センサおよびその製造方法並びに静電容量型圧力センサに用いるセンサ用構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-206688   出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所