SiC半導体のイオン注入層及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-060380
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261041
出願日： 2001年03月05日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】結晶の乱れ及び結晶表面の荒れを低減させたイオン注入層を提供する。【解決手段】本発明に係るSiC半導体1のイオン注入層2は、4H型SiCの{03-38}面から10°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっている。

請求項（抜粋）：

4H型SiCの{03-38}面から10°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっていることを特徴とするSiC半導体のイオン注入層。

IPC (11件)：

H01L 21/265 , H01L 21/265 602 , C30B 29/36 , H01L 21/28 , H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 21/336 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/329 , H01L 29/861

FI (11件)：

H01L 21/265 602 A , C30B 29/36 A , H01L 21/28 A , H01L 29/78 652 T , H01L 21/265 Z , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 Q , H01L 29/78 658 A , H01L 29/80 B , H01L 29/91 A , H01L 29/91 F

Fターム (45件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077FD02 , 4G077FE11 , 4G077TK06 , 4M104AA03 , 4M104BB14 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GR01 , 5F102GS02 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC16 , 5F140AA00 , 5F140AA27 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BE02 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BG38 , 5F140BH21 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK13 , 5F140BK21

引用特許：

審査官引用 (4件)

SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-127471 出願人：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
高チャネル移動度を有するSiC半導体装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-544401 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-267722 出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー

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