特許
J-GLOBAL ID:200903016010923033

量子素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉浦 正知
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-012092
公開番号(公開出願番号):特開平7-147392
出願日: 1994年01月07日
公開日(公表日): 1995年06月06日
要約:
【要約】【目的】 外部電場による量子箱アレイ中の電子間または正孔間相関の変調を効率良く行うことができる量子素子を実現する。【構成】 障壁層を構成するi型AlAs層2により量子井戸部を構成するi型Alx Ga1-x As層3の周囲が取り囲まれた構造の量子ドットQDを一面内に互いに隣接して配列して量子ドット・アレイを形成する。各量子ドットQDはその配列面と直交する方向に対して組成的に非対称にする。この方向に外部電場を印加することにより、量子ドット・アレイ中の電子間相関の変調を行う。各量子ドットQDは、その配列面と直交する方向に対して形状的に非対称にしてもよい。
請求項(抜粋):
一面内に互いに隣接して配列された複数の量子箱を有し、上記複数の量子箱が上記面と直交する方向に対して組成的に非対称になっていることを特徴とする量子素子。
IPC (2件):
H01L 29/68 ,  H01L 29/06
引用特許:
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る