特許
J-GLOBAL ID：200903016016930430
面発光型半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-247829
公開番号（公開出願番号）：特開2000-067449
出願日： 1998年08月18日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 レーザ出力を増したとしても、レーザ光の放射角を小さく設定することを可能とする面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 本発明の面発光型半導体レーザ100は、半導体基板上に垂直方向の共振器を有し、共振器より半導体基板に垂直な方向にレーザ光を出射する。共振器を含む半導体堆積体(柱状部)101の表面に、凸レンズ形状を有する出射部111が形成されている。この面発光型半導体レーザ100は、以下の工程を含む製造方法によって製造される。(a)半導体基板上に、前記柱状部101を形成する工程、(b)柱状部101の表面の所定領域が露出した状態で、共振器に電流を注入するための電極(上部電極)106を形成する工程、(c)上部電極106の表面に、撥液処理を施す工程、(d)硬化させると出射部111を構成し、かつ、撥液膜によってはじかれる液状物を、露出した柱状部101の表面に位置させる工程、および(e)液状物を硬化させて、出射部111を形成する工程。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に垂直方向の共振器を有し、前記共振器より前記半導体基板に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、前記共振器を含む半導体堆積体の表面に、凸レンズ形状を有する出射部が形成されている面発光型半導体レーザ。
Fターム (6件)：
5D119AA43
, 5D119FA05
, 5D119FA18
, 5D119FA21
, 5D119FA30
, 5D119NA04
