特許

J-GLOBAL ID：200903016041177887

半導体膜の熱処理方法

発明者： 鮫島 俊之
出願人/特許権者： 東京農工大学長
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-251626
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097350
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【目的】 優れた特性のトランジスタ等の電子デバイスの作製を可能にする、半導体薄膜の熱処理方法を提供すること。【構成】 基板上に部分的に空隙を有する層を形成する工程と、この部分的に空隙を有する層上に半導体膜を形成する工程と、この半導体膜にパルス的エネルギー線を照射することにより前記半導体膜を加熱する工程とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に部分的に空隙を有する層を形成する工程と、この部分的に空隙を有する層上に半導体膜を形成する工程と、この半導体膜にパルス的エネルギー線を照射することにより前記半導体膜を加熱する工程とを具備することを特徴とする半導体膜の熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-331177   出願人：カシオ計算機株式会社
• 半導体結晶層の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-320734   出願人：鈴木正國, 株式会社村田製作所, 日本鋼管株式会社