特許
J-GLOBAL ID：200903016044662387

積層コンデンサ

発明者：
佐藤 恒

佐藤 恒 について

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伊藤 隆

伊藤 隆 について

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林 桂

林 桂 について

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長澤 忠

長澤 忠 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-124214
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318058
出願日： 2002年04月25日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 実装上の制限を受けずに、等価直列インダクタンス(ESL)を低減した積層コンデンサを提供する。【解決手段】 厚み方向に第1のビアホール導体5と第2のビアホール導体6とを有するとともに、主面に第2のビアホール導体6の周囲に第2の非電極形成領域14が形成され、且つ第1のビアホール導体5と接続する第1の内部電極層3を形成した第1の誘電体層1と、厚み方向に第2のビアホール導体6と第1のビアホール導体5とを有するとともに、主面に第1のビアホール導体5の周囲に第1の非電極形成領域13が形成され、且つ第2のビアホール導体6と接続する第2の内部電極層4を形成した第2の誘電体層2とを交互に積層してなる積層コンデンサ10において、非電極形成領域14、13の一部を積層方向で互いに重なり合せた。
請求項（抜粋）：
厚み方向に第1のビアホール導体と第2のビアホール導体とを有するとともに、第2のビアホール導体の周囲に第2の非電極形成領域が形成され、且つ第1のビアホール導体と接続する第1の内部電極層を主面に形成した第1の誘電体層と、厚み方向に第2のビアホール導体と第1のビアホール導体とを有するとともに、主面に第1のビアホール導体の周囲に第1の非電極形成領域が形成され、且つ第2のビアホール導体と接続する第2の内部電極層を主面に形成した第2の誘電体層とを交互に積層してなる積層コンデンサにおいて、前記第1及び第2の内部電極層内に形成した前記非電極形成領域の一部は、前記誘電体層の積層方向で互いに重なり合うことを特徴とする積層コンデンサ。
IPC (2件)：
H01G 4/12 352 ,  H01G 4/30 301
FI (2件)：
H01G 4/12 352 ,  H01G 4/30 301 D
Fターム (9件)：
5E001AB03 ,  5E001AC05 ,  5E001AC07 ,  5E001AC08 ,  5E082AB03 ,  5E082BC14 ,  5E082EE11 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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