特許
J-GLOBAL ID：200903016054631307

薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備えた平板表示装置

発明者：
徐 ▲ミン▼徹

徐 ▲ミン▼徹 について

, 
具 在本

具 在本 について

, 
牟 然坤

牟 然坤 について

, 
安 澤

安 澤 について

, 
鄭 棕翰

鄭 棕翰 について


出願人/特許権者：
三星エスディアイ株式会社

三星エスディアイ株式会社 について


代理人 (3件)： 渡邊 隆 ,  志賀 正武 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-351028
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165559
出願日： 2005年12月05日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備えた平板表示装置を提供する。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、ゲート電極と絶縁され、ソース及びドレイン電極にそれぞれ接する有機半導体層と、ソース及びドレイン電極及び有機半導体層とゲート電極とを絶縁させる絶縁層と、ゲート電極と連結された第1配線と、ソース及びドレイン電極の何れか一つと連結された第2配線と、を備え、ゲート電極、第1配線、ソース及びドレイン電極、及び、第2配線のうち、少なくとも何れか一つが、導電性ナノ粒子及び硬化性樹脂の硬化物を含む薄膜トランジスタである。また、その製造方法及び薄膜トランジスタを備えた平板表示装置である。これにより、薄膜トランジスタのうち導電性膜は、精密なパターンを有し、低コストの低温工程で製造されうる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、 前記ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、 前記ゲート電極と絶縁され、前記ソース及びドレイン電極にそれぞれ接する有機半導体層と、 前記ソース及びドレイン電極及び前記有機半導体層と前記ゲート電極とを絶縁させる絶縁層と、 前記ゲート電極と連結された第1配線と、 前記ソース及びドレイン電極の何れか一つと連結された第2配線と、を備え、 前記ゲート電極、前記第1配線、前記ソース及びドレイン電極、及び、前記第2配線のうち、少なくとも何れか一つが導電性ナノ粒子及び硬化性樹脂の硬化物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (12件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/50
FI (13件)：
H01L29/78 616K ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617J ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/88 M ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A ,  H05B33/14 A
Fターム (59件)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104DD81 ,  4M104GG09 ,  4M104GG20 ,  5F033GG00 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ83 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE11 ,  5F110EE42 ,  5F110GG05 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110NN03 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許6,433,359号明細書
審査官引用 (3件)
  • 有機半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-315828   出願人：パイオニア株式会社
  • 薄膜電極の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-317175   出願人：大日本印刷株式会社
  • 特開平2-114531

前のページに戻る

TOP

BOTTOM