有機半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤村元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-315828
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152958
出願日： 2002年10月30日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】電気特性の優れた有機半導体装置を提供する。【解決手段】各々が、対向する1対のソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の間にチャネルを形成できるように成膜されたキャリア移動性の有機半導体層と、ソース電極及びドレイン電極の間の有機半導体層に電界をゲート絶縁膜を介して印加せしめるゲート電極と、を備えた少なくとも2つのp型及びn型チャネル有機半導体素子からなる有機半導体装置において、p型チャネル有機半導体素子のソース電極及びドレイン電極は、n型チャネル有機半導体素子のソース電極及びドレイン電極の仕事関数の値よりも高い値の仕事関数を有する材料からなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

各々が、対向する1対のソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極の間にチャネルを形成できるように成膜された有機半導体層と、前記ソース電極及びドレイン電極の間の前記有機半導体層に電界をゲート絶縁膜を介して印加せしめるゲート電極と、を備えた少なくともp型及びn型チャネル有機半導体素子からなる有機半導体装置であって、前記p型チャネル有機半導体素子のソース電極及びドレイン電極は、前記n型チャネル有機半導体素子のソース電極及びドレイン電極の仕事関数の値よりも高い値の仕事関数を有する材料からなることを特徴とする有機半導体装置。

IPC (8件)：

H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/786 , H01L51/00 , H05B33/14 , H05B33/26

FI (10件)：

H01L27/08 321F , H01L21/28 301B , H01L27/08 331E , H05B33/14 A , H05B33/26 Z , H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/28 , H01L27/08 321E

Fターム (41件)：

3K007AB05 , 3K007DB03 , 3K007FA02 , 3K007GA00 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104CC01 , 4M104DD51 , 4M104GG10 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BC01 , 5F048BC11 , 5F048BC15 , 5F048BF01 , 5F048BF16 , 5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110GG05 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK17 , 5F110HL01 , 5F110HL11 , 5F110HL22

引用特許：

審査官引用 (8件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-350697 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-362320 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
有機半導体装置及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-264964 出願人：株式会社日立製作所

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