特許

J-GLOBAL ID：200903016070785322

マイクロフォンの製造方法

発明者： 堀本 恭弘 ,  笠井 隆
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-123652
公開番号（公開出願番号）：特開2007-295487
出願日： 2006年04月27日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：

【課題】表面側からのエッチングによって半導体基板に空洞を形成することができると共に、音響抵抗の大きなベントホールを容易に作製することのできるマイクロフォンの製造方法を提供する。【解決手段】薬液投入口31から犠牲層36を露出させ、薬液投入口31から導入したエッチャントによって犠牲層36と犠牲層35をエッチング除去する。犠牲層35の除去された跡のエッチング窓34にはSi基板22の表面が露出しているので、エッチング窓34の下方ではSi基板22が結晶異方性エッチングされて空洞23が生じる。これに対し、犠牲層36がエッチング除去された空間では、Si基板22の表面が保護膜32で覆われているので、Si基板22はエッチングされず、ここにベントホール26が形成される。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面にエッチング保護膜を形成し、当該エッチング保護膜にエッチング窓を開口する工程と、 前記エッチング窓の内部と前記エッチング保護膜の上面に少なくとも一部が連続するようにして犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層の上方に振動膜を形成する工程と、 前記エッチング保護膜が耐性を有するエッチャントを用いて、前記振動膜と前記エッチング保護膜に挟まれ、かつ、前記エッチング窓から離間した箇所から前記犠牲層をエッチング開始して前記エッチング窓を開口させる工程と、 前記エッチング保護膜が耐性を有するエッチャントを用いて、前記エッチング窓から前記半導体基板を結晶異方性エッチングして前記半導体基板の表面側に空洞を形成する工程と、 を有することを特徴とするマイクロフォンの製造方法。

IPC (2件)：

H04R 31/00 ,  H04R 19/04

FI (2件)：

H04R31/00 C ,  H04R19/04

Fターム (2件)：

5D021CC19 ,  5D021CC20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 小型ブロードバンド変換器
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-519372   出願人：ノールズエレクトロニクス,リミテッドライアビリティカンパニー
• 特開昭62-76784号公報
  

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-076784
  
• マイクロホンユニット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-148662   出願人：アツデン株式会社
• 圧電薄膜素子およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-280473   出願人：三菱電機株式会社