特許
J-GLOBAL ID：200903016073128446
半導体素子の製造方法およびその製造方法で使用する鏡面ウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-147162
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340006
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【目的】 表面に形成される酸化膜(ゲート酸化膜)の耐圧を高める。【構成】 半導体素子製造用のシリコンからなる鏡面ウェーハであって、酸素ドナー消去処理による欠陥核が存在しない。【効果】 酸素ドナー消去処理が施されていないことから酸素ドナー消去処理によって発生する欠陥核が内部に存在しないシリコン鏡面ウェーハとなる。このシリコン鏡面ウェーハを使用して半導体素子を製造した場合、半導体素子の製造における初期の高温熱処理によってシリコンウェーハ内の酸素ドナーは外部に放出されるため、シリコンウェーハの表面に酸素に起因する欠陥核や欠陥核の成長による結晶欠陥が発生し難くなり、シリコンウェーハ表面に形成される酸化膜の膜質が劣化しなくなり、酸化膜の耐圧酸化膜の耐圧が向上する。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶インゴットを切断して薄いウェーハを形成する工程と、前記ウェーハの表面を機械的・化学的研磨を行って鏡面ウェーハを形成する工程と、前記鏡面ウェーハを使用して半導体素子を製造することを特徴とする半導体素子の製造方法であって、前記鏡面ウェーハの形成時酸素ドナー消去処理を行わずに欠陥核が存在しない鏡面ウェーハを形成し、その後内部の酸素がアウトディフュージョンする温度の熱処理を施すことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 21/304 321
H01L 21/322 P
, H01L 21/322 Y
, H01L 21/304 321 S
