特許
J-GLOBAL ID：200903016085007415
半導体発光機器のための反射電極
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-164345
公開番号（公開出願番号）：特開2007-318157
出願日： 2007年05月25日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】半導体発光装置のための反射電極を提供する。【解決手段】光を発生する活性層と、その活性層と電気的に接触したクラッド層とを有する半導体発光装置上の反射電極を形成する方法。この方法は、クラッド層上に導電材料の中間層を堆積させる段階と、導電材料の少なくとも一部分をクラッド層内に拡散させる段階とを伴っている。この方法は、中間層上に反射層を堆積させる段階を更に伴い、反射層は導電性であり、かつ中間層と電気的に接触している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光を発生するための活性層と該活性層と電気的に接触したクラッド層とを有する半導体発光装置上に反射電極を形成する方法であって、
クラッド層上に導電材料の中間層を堆積させる段階と、
前記導電材料の少なくとも一部分を前記クラッド層内に拡散させる段階と、
前記中間層上に、導電性であり、かつ該中間層と電気的に接触した反射層を堆積させる段階と、
を含むことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01S 5/022
, H01S 5/183
H01L33/00 N
, H01S5/022
, H01S5/183
5F041AA04
, 5F041DA09
, 5F041DA34
, 5F173AC03
, 5F173AC05
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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