特許
J-GLOBAL ID：200903096059194677

窒化物半導体発光素子

発明者：
楠瀬 健

楠瀬 健 について

, 
坂本 貴彦

坂本 貴彦 について

, 
市原 隆志

市原 隆志 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-277959
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045038
出願日： 2003年07月23日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】 発光素子における光の吸収を抑制し発光素子の光取り出し効率を向上させる。【解決手段】 本発明に係る窒化物半導体発光素子は、p電極を有するp型窒化物半導体層と、n電極を有するn型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体発光素子において、上記p型窒化物半導体層は、上記窒化物半導体発光素子からの光の一部を透過させる透明導電膜よりなる第一の層10a-1と、該透明導電膜の少なくとも一部を被覆し該透明導電膜からの透過光を反射させる第二の層10a-2と、を少なくとも有することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p電極を有するp型窒化物半導体層と、n電極を有するn型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体発光素子において、 前記p型窒化物半導体層は、前記窒化物半導体発光素子からの光の一部を透過させる透明導電膜よりなる第一の層と、該透明導電膜の少なくとも一部を被覆し該透明導電膜からの透過光を反射させる第二の層と、を少なくとも有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041DA09 ,  5F041DA13
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (16件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM