特許

J-GLOBAL ID：200903016117807524

酸窒化物ゲ-ト誘電体およびその形成方法

発明者： ダグラス・アンドリュー・ブキャナン ,  マシュー・ウォーレン・コペル ,  パトリック・ロナルド・ヴェアカンプ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372774
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208510
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイス内に酸窒化物ゲート誘電体を形成する方法を提供すること。【解決手段】 半導体デバイス内に酸窒化物ゲート誘電体を形成する方法と、その方法によって形成されるゲート誘電体構造が開示される。この方法では、初めにシリコン表面に酸窒化物層を形成し、次いで酸素および少なくとも1種類のハロゲン化種を含有する気体混合物で再酸化することで、窒素プロフィルが制御された酸窒化物層と、酸窒化物膜の下に形成された実質上二酸化ケイ素の層が得られる。酸窒化膜層は、シリコンの表面を、窒素または酸素あるいはその両方を含有する少なくとも1種の気体と500°C以上の温度で接触させるか、または化学気相付着法によって形成することができる。再酸化プロセスは、酸素と、HCl、CH2Cl2、C2H3Cl3、C2H2Cl2、CH3Cl、CHCl3などのハロゲン化種を含有する酸化ハロゲン化雰囲気中での加熱によって実施できる。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス内に酸窒化物ゲート誘電体を形成する方法であって、上面を有するシリコン基板を用意するステップと、前記シリコン基板の上面を、窒素または酸素あるいはその両方を含有する少なくとも1種の気体と500°C以上の温度で接触させて、前記シリコン基板の上に酸窒化物層を形成するステップと、前記シリコン基板および前記酸窒化物層を、酸素および少なくとも1種類のハロゲン化種を含む気体混合物と接触させて、実質上二酸化ケイ素の層を前記酸窒化物層と前記シリコン基板の間に形成するステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 21/283 C ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-143610   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-136169   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-143610   出願人：シャープ株式会社