特許
J-GLOBAL ID：200903088411944549
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-136169
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306687
出願日： 1995年05月10日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 絶縁膜中へ不純物拡散を抑制し、歩留まりと信頼性の高い絶縁膜を提供する。【構成】 初期酸化膜(2)を極薄く成膜し、続けて窒化姓の雰囲気で熱処理を行い、窒化酸化膜(3)、(4)を形成する。再び酸化性の雰囲気で熱処理を行い、窒化酸化膜(4)の窒素原子を外方拡散させ、更に窒化酸化膜(3)の内側に厚い酸化膜(5)を形成するもので、シリコン絶縁膜が半導体基板上の厚い下部酸化膜及びその上の前記酸化膜より薄い窒化膜または窒化酸化膜よりなる二層構造あるいは、さらにその上部の薄い酸化膜よりなる三層構造である半導体装置である。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板上にシリコン絶縁膜を有する半導体装置において、シリコン絶縁膜が半導体基板上の厚い下部酸化膜及びその上の前記酸化膜より薄い窒化膜または窒化酸化膜よりなる二層構造であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/318 C
, H01L 29/78 301 P
