特許
J-GLOBAL ID：200903094621348108
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143610
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340224
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 亜酸化窒素雰囲気で形成した誘電体層は、高い界面準位密度を有することが指摘されている。この特性は、モビリティ低下の原因となり、トランジスタ素子のドライブ電流の低下に帰結する。【解決手段】 シリコン基板1上に窒素含有の第1の誘電体層2を形成した後、酸素及び塩酸雰囲気で酸化することにより、第2の誘電体層をシリコン基板1と窒素含有の第1の誘電体層2との間に形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に窒素含有誘電体層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、上記窒素含有誘電体層を形成した後、酸素及び水素含有雰囲気で酸化することにより、所定の膜厚の第1の酸化膜を上記半導体基板と上記窒素含有誘電体層との間に形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/318 C
, H01L 21/318 M
, H01L 29/78 301 G
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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