特許
J-GLOBAL ID：200903016153056772

塗布膜形成方法及びその装置

発明者：
長谷部 圭蔵

長谷部 圭蔵 について

, 
錦戸 修一

錦戸 修一 について

, 
小西 信夫

小西 信夫 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039026
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213621
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 塗布液の使用量を少なくし、かつ塗布膜の膜厚の均一化を図ること。【解決手段】 スピンチャック51によって水平回転される半導体ウエハWの表面に溶剤供給ノズル60からレジスト液Aの溶剤Bを供給し、半導体ウエハWの表面全体に拡散させると共に、半導体ウエハWの表面にレジスト液供給ノズル61からレジスト液を滴下し、溶剤に追従させて拡散する際に、処理空間57を外気と遮断すると共に、処理空間57内にミスト状の溶剤を供給する。これにより、レジスト液中の溶剤の蒸発を抑制して、レジスト液を半導体ウエハWの周縁部まで均等に行き渡らすことができ、レジスト液の使用量を少なくすることができる。
請求項（抜粋）：
被処理体の表面に塗布液の溶剤を供給する工程と、上記溶剤が供給された被処理体を回転させて溶剤を被処理体の表面全体に渡って拡散させる工程と、上記被処理体の表面に塗布液を供給する工程と、上記被処理体の雰囲気を外気と遮断すると共に、この雰囲気中に上記溶剤を供給して塗布液中の溶剤の蒸発を抑制する工程と、上記被処理体を回転させて、被処理体の表面全体に渡って塗布液を拡散させて塗布膜を形成する工程と、上記被処理体の雰囲気を解除する工程と、を有することを特徴とする塗布膜形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  G03F 7/16 502
FI (6件)：
H01L 21/30 564 D ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 A ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/30 564 C ,  H01L 21/30 567
引用特許：
審査官引用 (10件)
  • 塗布膜形成方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-079862   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
  • 特開昭61-150332
  • 特開昭61-091655
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