特許
J-GLOBAL ID：200903016154530222
面発光半導体レーザーとその製造方法及び光学装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-136295
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159272
出願日： 2004年04月30日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 大出力の単一横モードが安定的に維持される構成による面発光半導体レーザー(VCSEL)と、この面発光半導体レーザーから成る光源装置を具備する光学装置を提供する。【解決手段】 面発光半導体レーザーにおける主たる電流の通路すなわちキャビティ構成部の周囲に低屈折領域から成る散乱損失構造部が配置された構成とし、その低屈折率領域は間歇的に配置され、かつ中心部に向かう先端部の形状が先細例えば鋭角とする。このことにより、キャビティ構成部のうち、より外周部に局在する高次モードの発光レーザーの損失が大とされ、良好な単一モードレーザーを発振する面発光半導体レーザーが構成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
活性層を挟んで第1及び第2のDBR(Distributed Bragg Reflector)が配置されて垂直方向の共振器が形成された面発光半導体レーザーであって、
上記共振器の外周部に、散乱損失を生じさせる散乱損失構造部が配置され、該散乱損失構造部が、レーザーの主たる電流通路と対向する少なくとも1つ以上の対向端を有して成ることを特徴とする面発光半導体レーザー。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AF96
, 5F173AG20
, 5F173AH02
, 5F173AP37
, 5F173AR33
, 5F173MA06
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
