特許
J-GLOBAL ID:200903060147793357
面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-374785
公開番号(公開出願番号):特開2001-189525
出願日: 1999年12月28日
公開日(公表日): 2001年07月10日
要約:
【要約】【課題】 レーザ光の偏光方向の制御が可能である面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイを提供する。【解決手段】 面発光型半導体レーザ101は、共振器120が半導体基板101上に垂直方向に形成され、共振器120より半導体基板101に垂直な方向へレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、共振器120の一部である柱状部110と、柱状部110の外側面に接触して形成された絶縁層112とを含み、絶縁層112は、その平面形状に起因した異方的な応力を有し、この異方的な応力によりレーザ光の偏光方向の制御を行う。
請求項(抜粋):
共振器が半導体基板上に垂直方向に形成され、該共振器より該半導体基板に垂直な方向へレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、少なくとも前記共振器の一部を含む柱状の半導体堆積体と、前記半導体堆積体の外側面に接触して形成された絶縁層とを含み、前記絶縁層は、その平面形状に起因した異方的な応力を有し、該異方的な応力によりレーザ光の偏光方向の制御を行う、面発光型半導体レーザ。
Fターム (10件):
5F073AA74
, 5F073AB04
, 5F073AB17
, 5F073CA04
, 5F073CA06
, 5F073CA07
, 5F073CA21
, 5F073CB11
, 5F073DA27
, 5F073EA22
引用特許:
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