特許
J-GLOBAL ID：200903016164928909

電界電子放出型サージ吸収素子及びその製造方法

発明者：
河西 良人

河西 良人 について

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丸山 光晴

丸山 光晴 について

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三沢 雅芳

三沢 雅芳 について

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米久保 荘

米久保 荘 について


出願人/特許権者：
岡谷電機産業株式会社

岡谷電機産業株式会社 について

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長野県

長野県 について


代理人 (1件)： 奥田 弘之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289470
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119855
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 エミッタ・コーンにおける電界集中を高めることによって、動作電圧を比較的低く設定することが可能な電界電子放出型サージ吸収素子を実現。【解決手段】 多数のエミッタ・コーン15が形成された第1の基板部材11と、多数のエミッタ・コーン15が形成された第2の基板部材12とを、両基板部材11,12に形成されたエミッタ・コーン15が、所定の間隙を隔てて対向するよう配置し、両基板部材11,12の周縁を枠部材13を介して気密封止して外囲器14を形成し、内部を高真空状態となすと共に、両基板部材11,12の外面にそれぞれ第1の外部電極23及び第2の外部電極24を形成して成る電界電子放出型サージ吸収素子10において、上記エミッタ・コーン15が、尖鋭な先端部15aと、基板部材11,12の内面から80度以上90度以下の角度で立設する立上り部15bとを有するよう構成し、また、エミッタ・コーン15のアスペクト比を2以上と成した。
請求項（抜粋）：
半導体よりなる第1の基板部材と第2の基板部材とを対向配置し、両基板部材の対向面周縁を気密封止して外囲器を形成し、該外囲器内を高真空状態となすと共に、上記第1の基板部材の対向面及び第2の基板部材の対向面の少なくとも一方に多数のエミッタ・コーンを形成し、当該エミッタ・コーンと他方の基板部材の内面あるいはエミッタ・コーンとの間に所定の間隙を形成し、さらに両基板部材の外面にそれぞれ外部電極を形成してなる電界電子放出型サージ吸収素子において、上記エミッタ・コーンが、尖鋭な先端部と、上記基板部材の内面から80度以上90度以下の角度で立設する立上り部とを有していることを特徴とする電界電子放出型サージ吸収素子。
IPC (7件)：
H02H 9/04 ,  H01J 9/02 ,  H01J 19/24 ,  H01J 21/04 ,  H01T 4/10 ,  H01T 4/12 ,  H02H 9/06
FI (7件)：
H02H 9/04 A ,  H01J 9/02 B ,  H01J 19/24 ,  H01J 21/04 ,  H01T 4/10 G ,  H01T 4/12 F ,  H02H 9/06
Fターム (6件)：
5G013AA05 ,  5G013AA09 ,  5G013BA02 ,  5G013CB02 ,  5G013CB21 ,  5G013DA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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