特許

J-GLOBAL ID：200903016233233730

不揮発性メモリとその製造方法

発明者： 久保田 大志 ,  白井 浩樹 ,  松尾 真 ,  児玉 典昭 ,  岡澤 武 ,  村松 諭 ,  西尾 直治 ,  堀川 貢弘 ,  斎藤 修一 ,  新井 謙一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-141568
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335644
出願日： 1995年06月08日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】過剰消去不良を抑制できる不揮発性メモリセル構造とその製造方法を提供する。【構成】消去動作中に電子がトンネル膜中を通過する領域上にあるフローティングゲートのポリシリコンのグレインの数を20個以上にすることで、過剰消去不良の発生自体を抑制することが出来るようになる。

請求項（抜粋）：

第1導電性の半導体基板表面に設けられた第2導電性のソース領域およびドレイン領域と該ソース領域の端部および該ドレイン領域の端部に挟まれて該第1導電性半導体基板表面に設けられたチャネル領域と、ゲート絶縁膜を介して該ソース領域およびドレイン領域上に延在して該チャネル領域上に設けられた1層の多結晶シリコン膜からなるフローティングゲート電極と、電極間ゲート絶縁膜を介して該フローティングゲート電極上を覆うコントロールゲート電極とを有し、前記フローティングゲート電極に電子を蓄積すること、あるいは前記蓄積電子をフローティングゲート電極から外部へ引き抜くことにより、記憶動作および消去動作を行うMOSスタックトゲート型の書き換え可能な不揮発性メモリにおいて、前記フローティングゲート電極の中で、前記蓄積電子を外部に引き抜く時に、蓄積電子が電子電流として流れる領域上に含まれる多結晶シリコンの結晶粒の数が、20個以上になっていることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-236974   出願人：沖電気工業株式会社
• 不揮発性半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-253970   出願人：ソニー株式会社