特許

J-GLOBAL ID：200903016262208990

薄膜トランジスタ装置及びその製造方法

発明者： 浅田 勝滋 ,  長瀬 洋二
出願人/特許権者： 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社
代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-356181
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158133
出願日： 2001年11月21日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】 露光工程で位置ずれが発生してもTFTのゲート・ソース間の寄生容量の変動が少ない薄膜トランジスタ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート電極11bは、内部に開口部を有する矩形の形状に形成されている。TFTの動作層となるシリコン膜13の上には、ゲート電極11bとほぼ同じ形状のチャネル保護膜が形成されている。そして、TFTのソース電極15bは、その縁部がチャネル保護膜の内側端部上に位置し、チャネル保護膜の開口部を介してシリコン膜13の第1の領域(ソース領域)に電気的に接続されている。また、ドレイン電極15cは、その一部がチャネル保護膜の外側端部上に位置し、シリコン膜13の第2の領域(ドレイン領域)に電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された複数本のゲートバスラインと、前記基板上に形成されて前記ゲートバスラインに接続され、内部に開口部が設けられたゲート電極と、前記基板上に形成されて前記ゲートバスライン及び前記ゲート電極を覆う第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の前記ゲート電極の上方の領域を含む領域上に選択的に形成された半導体膜と、前記半導体膜上の前記ゲート電極の上方の位置に前記ゲート電極に対応する形状で形成された第2の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されて前記ゲートバスラインと交差する複数本のデータバスラインと、前記ゲート電極の開口部の上方に形成され、縁部が前記第2の絶縁膜の内側端部上に配置され、前記半導体膜の第1の領域に電気的に接続したソース電極と、前記ゲート電極の外側のエッジに沿って形成され、一部が前記第2の絶縁膜の外側端部上に配置され、前記半導体膜の第2の領域及び前記データバスラインに電気的に接続されたドレイン電極とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ装置。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 616 S

Fターム (81件)：

2H092JA24 ,  2H092JB56 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA07 ,  2H092MA15 ,  2H092MA18 ,  2H092NA01 ,  2H092NA23 ,  4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD17 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD91 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  4M104HH18 ,  5C094AA03 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE24 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK41 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM04 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN14 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12 ,  5G435AA01 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435HH14 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜トランジスタマトリクス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-281178   出願人：富士通株式会社
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-141812   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭62-166560
  
• アクティブマトリクス液晶表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-334210   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭62-166560