特許

J-GLOBAL ID：200903016316668134

光ハーフトーン化マスクを用いた微細パターンエッジ同調方法

発明者： チェン ジェイ ファン ,  ウォンプラー カート イー ,  レイディグ トム
出願人/特許権者： アスムル マスクツールズ ビー.ブイ.
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-522498
公開番号（公開出願番号）：特表2003-521720
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 2003年07月15日
要約：

【要約】露光装置を使用して集積回路に対応するリソグラフィパターンを半導体基板に光転写する光リソグラフィマスク。マスクは集積回路を構成する素子に対応する複数のパターンと、該パターンの少なくとも1つのエッジに設けられた複数の解像不可能なバイアス補正片とを備えている。

請求項（抜粋）：

露光装置を利用して集積回路に対応するリソグラフィパターンを半導体基板に光転写するマスクの製作方法であって、 集積回路を構成する素子に対応する複数のパターンをマスク上に形成する工程と、 少なくとも1つの上記パターンのエッジに設けられる複数の解像不可能なバイアス補正片を形成する工程とを備えているマスク製作方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 515 F

Fターム (6件)：

2H095BA02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB31 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046BA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• フォトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-152114   出願人：現代電子産業株式会社
• 特開平4-175746
  
• 半導体装置の微細パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-168435   出願人：三星電子株式会社
• 特開平4-120536