特許
J-GLOBAL ID：200903016317866460
III族窒化物系化合物半導体レーザダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274234
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102673
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 安定、確実、かつ正確な接続が容易なレーザ発光素子を実現する。【解決手段】 図2は、 III族窒化物系化合物半導体レーザダイオード100のヒートシンク1に接続した際の模式的な断面図である。正電極106と負電極107は、それぞれ蒸着により成膜されており、両者は略同じ膜厚に形成されている。ヒートシンク1の表面に形成された正、負各々に対する金属製の電極接続パターン2に、正電極106、及び負電極107がそれぞれ半田3により接続されている。この様に、 III族窒化物系化合物半導体レーザダイオード100を構成し、接続することにより、本レーザダイオード100は傾かず、安定して確実にヒートシンク1上に固定されている。また、負電極107は広面積を持ち、更に、電極接続パターン2を介して幅広くヒートシンク1と接している。この構成により、本レーザダイオード100においては、高い放熱効果が得られている。
請求項（抜粋）：
基板の上に III族窒化物系化合物半導体から成る複数の層を積層し、共振器部分を残してその周辺部分をエッチング等により除去することで、共振器が平頂な島型に形成されたフリップチップ型の半導体レーザダイオードにおいて、前記共振器以外の、前記エッチング等の対象とされずに残された浸食残骸部と、前記共振器の平頂部に直接、平板状に形成された正電極とを備え、前記浸食残骸部は、前記平頂部と略同じ高さの半導体層の上面を有し、前記エッチング等により前記上面に対して傾斜して露出した半導体層の露出部の表面に、前記上面の少なくとも一部分にまで拡張されて負電極が形成され、前記負電極は、前記上面に対して傾斜したテーパ部を有することを特徴とする III族窒化物系化合物半導体レーザダイオード。
IPC (3件)：
H01S 5/022
, H01S 5/10
, H01S 5/323
H01S 5/022
, H01S 5/10
, H01S 5/323
5F073AA13
, 5F073AB17
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA06
, 5F073DA21
, 5F073DA31
, 5F073EA15
, 5F073FA13
, 5F073FA22
