特許
J-GLOBAL ID：200903076794246396
半導体レーザおよびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-029045
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229244
出願日： 1997年02月13日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体積層部上の幅の狭いストライプ電極との電気的接続を容易に行うことができる構造の半導体レーザを提供する。【解決手段】 基板1と、該基板上に発光層を形成すべく半導体層が積層される半導体積層部6と、該半導体積層部上に設けられる幅の狭いストライプ電極7とを備えるレーザチップを有する半導体レーザであって、前記ストライプ電極が設けられる側に該ストライプ電極より幅が広いDB用メタル8が設けられている。具体例としては、ストライプ電極の下側の半導体積層部をストライプ部6aとされ、p形層4、5がストライプ部と電気的に分離された半導体積層部6b上に前記DB用メタル8が設けられている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に発光層を形成すべく半導体層が積層される半導体積層部と、該半導体積層部上に設けられる幅の狭いストライプ電極とを備えるレーザチップを有する半導体レーザであって、前記ストライプ電極が設けられる側に該ストライプ電極より幅が広いダイボンディング用メタルが設けられてなる半導体レーザ。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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