特許
J-GLOBAL ID：200903023816001469

半導体発光デバイス

発明者：
山本 雅裕

山本 雅裕 について

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藤本 英俊

藤本 英俊 について

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布上 真也

布上 真也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-034908
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294493
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】半導体発光デバイスにおいて、光取出し面側の発光面積の拡大を図る。【解決手段】発光ダイオードは、サファイア基板11上に配設されたGaN系多層構造45を有する。多層構造45の光取出し面側に一対の電極パッド31、32が配設される。光取出し面の投影面積に対する電極パッド31、32の総投影面積は25%以下に設定される。電極パッド31、32は多層構造45の側面を覆う絶縁膜40上に配設されたハンダ配線層41、42を介してマウントフレームの電極パッド36、37に接続される。
請求項（抜粋）：
第1方向に面する光取出し面を有する半導体発光デバイスであって、発光用のpn接合を形成するように前記第1方向に沿って積層された複数の半導体層を有し且つ前記光取出し面を規定する多層構造と、前記複数の半導体層は、前記pn接合を挟んで位置する夫々第1及び第2導電型の第1及び第2半導体層を含むことと、前記第1半導体層上に配設された第1主電極と、前記第1主電極は前記光取出し面を覆う発光光を透過しない第1電極パッドを具備することと、前記第2半導体層上に配設された第2主電極と、前記第2主電極は前記光取出し面を覆う発光光を透過しない第2電極パッドを具備することと、前記光取出し面の投影面積に対する前記第1及び第2電極パッドの総投影面積は25%以下に設定されることと、前記多層構造の側壁上に配設された第1及び第2絶縁層と、前記第1及び第2絶縁層上に配設された第1及び第2配線層と、前記第1及び第2配線層は前記第1及び第2電極パッドに接続されることと、を具備することを特徴とする半導体発光デバイス。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (16件)
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