特許
J-GLOBAL ID：200903016358699838

半導体装置の製造方法

発明者：
石井 和敏

石井 和敏 について

, 
渡邉 ひと美

渡邉 ひと美 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-283247
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092318
出願日： 2001年09月18日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高温での試験が可能となり製造工程の短縮を実現する不揮発性記憶素子を有する半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】 半導体基板上にCMOSトランジスタと不揮発性記憶素子と高融点金属配線または半導体配線を形成する工程と不揮発性記憶素子にデータを書き込む工程と保持特性検査用熱ストレス印加工程と低融点金属配線と保護膜を形成する工程と良品、不良品を判別する検査工程とパッケージに実装する工程と最終検査工程とからなる半導体装置の製造方法の構成を成す。
請求項（抜粋）：
不揮発性記憶素子を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上にCMOSトランジスタと不揮発性記憶素子と高融点金属配線または半導体配線を形成する工程と、前記不揮発性記憶素子にデータを書き込む工程と、保持特性検査用熱ストレス印加工程と、低融点金属配線と保護膜を形成する工程と、良品、不良品を判別する検査工程と、パッケージに実装する工程と、最終検査工程と、からなる半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/66 ,  G01R 31/28 ,  G01R 31/30 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/10 461
FI (5件)：
H01L 21/66 H ,  G01R 31/30 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 21/88 B ,  G01R 31/28 B
Fターム (29件)：
2G132AA09 ,  2G132AB15 ,  2G132AE08 ,  2G132AF01 ,  2G132AL00 ,  2G132AL09 ,  4M106AA02 ,  4M106AB07 ,  4M106AD06 ,  4M106AD08 ,  4M106CA60 ,  4M106CA70 ,  4M106DH44 ,  5F033HH03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033HH31 ,  5F033LL01 ,  5F033VV16 ,  5F033XX37 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA20
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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