圧電素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-341632
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174346
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】特性バラツキが小さい状態で、圧電素子をより容易に量産できるようにする。【解決手段】プロービング検査装置のプローブピン110の先端を、電極パターン102aのパッド部に当接させ、プローブピン110を介して所定の信号を授受することで、素子毎に特性を測定する。次いで、上記検査の結果、所定の規格値に入っていない検査結果の素子について、所望とする周波数特性となるように、素子毎や複数の素子の集団毎に周波数調整を行う。

請求項（抜粋）：

圧電材料からなる基板の主表面に複数の素子領域を形成し、この素子領域内に各々同一形状の電極パターンを配置して前記素子領域毎に圧電素子を形成し、前記基板を前記素子領域毎に切り出すことで複数の圧電素子チップを製造する圧電素子の製造方法において、前記基板の主表面に複数の素子領域を形成する工程と、前記基板主表面の前記複数の素子領域内各々に前記電極パターンを形成する工程と、前記素子領域内に形成した前記電極パターンに所定の信号を印加して前記素子領域の特性を前記素子領域毎に検査する工程と、前記検査の結果に対応して前記素子領域毎に調整処理を行う工程とを備え、前記調整処理の後に前記基板を前記素子領域毎に切り出すことを特徴とする圧電素子の製造方法。

IPC (4件)：

H03H 3/10 , H01L 41/18 , H01L 41/22 , H01L 21/66

FI (4件)：

H03H 3/10 , H01L 21/66 B , H01L 41/22 Z , H01L 41/18 101 A

Fターム (14件)：

4M106AA01 , 4M106AD10 , 4M106BA01 , 4M106CA09 , 4M106DD30 , 4M106DH55 , 4M106DJ21 , 4M106DJ38 , 5J097AA13 , 5J097AA31 , 5J097HA07 , 5J097HB02 , 5J097HB03 , 5J097HB08

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-189011
表面波素子の製造方法及び表面波装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-122507 出願人：株式会社村田製作所
特公平5-028004

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