特許
J-GLOBAL ID：200903016373902275

半導体記憶装置

発明者：
高橋 保彦

高橋 保彦 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-245263
公開番号（公開出願番号）：特開2002-056676
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】 動作の高速化と多機能化を実現し、3D画像生成に好適な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 データ読み出し動作において同期信号に同期してデータ端子に読み出しデータを出力し、データ書込み動作において同期信号に同期して上記データ端子を介して書き込みデータを入力し、かかる読み出しデークの上記データ端子への出力動作が行われるべき第1期間内において、上記データ端子を介しての書き込みデータの入力動作を許容するとともに、書き込み動作の指示がされてから書き込みデータの入力が開始されるまでの第2期間と、書き込みデータの入力が行われる第3期間とを設け、上記読み出しデータの上記データ端子への出力を上記第2期間内に許容させる。
請求項（抜粋）：
データ読み出し動作において同期信号に同期してデータ端子に読み出しデータを出力し、データ書込み動作において同期信号に同期して上記データ端子を介して書き込みデータを入力する半導体記憶装置であって、読み出しデータの上記データ端子への出力動作が行われるべき第1期間内において、上記データ端子を介しての書き込みデータの入力動作を許容する入出力動作が可能にされてなり、上記入出力動作は、書き込み動作の指示がされてから書き込みデータの入力が開始されるまでの第2期間と、書き込みデータの入力が行われる第3期間とを有し、上記読み出しデータの上記データ端子への出力が、上記第2期間内に許容されるようにされてなることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/407 ,  G11C 11/401
FI (3件)：
G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 362 H ,  G11C 11/34 371 H
Fターム (7件)：
5B024AA11 ,  5B024AA15 ,  5B024BA21 ,  5B024BA23 ,  5B024BA29 ,  5B024CA11 ,  5B024CA16
引用特許：
審査官引用 (3件)

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