特許

J-GLOBAL ID：200903016390913396

半導体レーザ装置およびその製造方法ならびに半導体レーザモジュール

発明者： 吉田 順自 ,  築地 直樹 ,  木村 俊雄
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-379271
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246690
出願日： 2001年12月12日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 所望の光出力が得られる半導体レーザ装置を実現する場合に、駆動電力が最小となり、あるいは光電力変換効率が最大となる半導体レーザ装置および半導体レーザモジュールを提供すること。【解決手段】 1000μm以上の一定の共振器長をパラメータとした50mW以上の光出力に対する駆動電力の関係をもとに、所望の光出力に対応する駆動電力が最小近傍となる共振器長を決定する。たとえば、光出力が360mWである場合には、1500μmの共振器長が選択決定される。

請求項（抜粋）：

一定の光出力をパラメータとした、半導体レーザ装置の共振器長および該半導体レーザ装置の上部クラッド層のキャリア濃度を含む該半導体レーザ装置の各要素と該半導体レーザ装置の駆動電力あるいは光電力変換効率との関係をもとに決定され、所望の光出力に対応して該駆動電力が最小近傍あるいは該光電力変換効率が最大近傍となる該半導体レーザ装置の各要素値を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 5/10 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/024 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01S 5/10 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/024 ,  H01S 5/343

Fターム (14件)：

5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073AB30 ,  5F073BA09 ,  5F073CA12 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29 ,  5F073FA02 ,  5F073FA06 ,  5F073FA25

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-300615   出願人：日亜化学工業株式会社
• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-161672   出願人：富士通株式会社