特許
J-GLOBAL ID：200903021389371346
窒化物半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-300615
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133883
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 発光出力を低下させることなく、光電変換効率を高めることができる窒化物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層との間に、Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層6を有し、前記井戸層がアンドープであり、前記障壁層の単一膜厚が70〜500オングストロームを有し、更に障壁層にn型不純物が5×1016〜1×1019/cm3ドープされている。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層との間に、Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、前記井戸層がアンドープであり、前記障壁層の単一膜厚が70〜500オングストロームを有し更に障壁層にn型不純物が5×1016〜1×1019/cm3ドープされていることを特徴とする窒化物半導体素子。
Fターム (6件)：
5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073CB17
, 5F073EA29
