特許

J-GLOBAL ID：200903016404262040

半導体装置

発明者： 佐藤 邦和
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-384189
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150309
出願日： 2003年11月13日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】突起などを必要とすることなく容易な構成により、金属ベース板1に銅やアルミニウムなどの安価な材料を使用した場合であっても、はんだ7が受ける温度サイクルストレスを低減することができる半導体装置を提供する。【解決手段】セラミック基板2とセラミック基板2の第1の面に形成される第1面側配線パターン4とセラミック基板2の第2の面に形成される第2面側配線パターン5とセラミック基板2の第1面側配線パターン4側に実装された1個又は2個の半導体素子3とを有する複数の半導体回路部と、それぞれの半導体回路部のセラミック基板2の第2面側配線パターン5側で半導体素子3の直下範囲を含みセラミック基板2の第2の面全体範囲内に塗布された接合部材7と、セラミック基板2の線膨張係数より大きな線膨張係数の金属材料からなり接合部材7を介して複数の半導体回路部が接合された金属ベース板1と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子を有する半導体装置において、 セラミックスからなるセラミック基板と、前記セラミック基板の第1の面に形成される第1面側配線パターンと、前記セラミック基板の第2の面に形成される第2面側配線パターンと、前記セラミック基板の前記第1面側配線パターン側に実装された1個又は2個の半導体素子と、を有する複数の半導体回路部と、 それぞれの前記半導体回路部の前記セラミック基板の前記第2面側配線パターン側で前記半導体素子の直下範囲を含み前記セラミック基板の前記第2の面全体範囲内に塗布された接合部材と、 前記セラミック基板の線膨張係数より大きな線膨張係数の金属材料からなり前記接合部材を介して複数の前記半導体回路部が接合された金属ベース板と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L25/04 ,  H01L23/36 ,  H01L25/18

FI (2件)：

H01L25/04 Z ,  H01L23/36 D

Fターム (6件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-242321   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-242582   出願人：トヨタ自動車株式会社