特許
J-GLOBAL ID：200903016413636034

銅張積層板の製造方法

発明者：
伊藤 豊誠

伊藤 豊誠 について

, 
岡本 敏

岡本 敏 について

, 
池内 淳一

池内 淳一 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (2件)： 中山 亨 ,  坂元 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-054592
公開番号（公開出願番号）：特開2009-241594
出願日： 2009年03月09日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：
【課題】高温高湿雰囲気下に保管したとしても、液晶ポリマーを含む樹脂層と銅箔との間の密着性の低下が少ない銅張積層板を提供する。【解決手段】銅箔の表面に、液晶ポリマーを含む樹脂層を接着させる銅張積層板の製造方法において、前記銅箔の表面がX線光電子分光法で測定したとき求められる、ニッケル濃度と銅濃度との比(CNi/CCu)が0.40以上であり、ケイ素が実質的に検出されない銅箔を用いることで、高温高湿雰囲気下の保管においても優れた密着性が維持される銅張積層板を得ることができる。液晶ポリマーは特定の構造単位からなる液晶ポリエステルが好ましい。この銅張積層板はフレキシブルプリント配線板等に好適に使用できる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
銅箔の表面に、液晶ポリマーを含む樹脂層を接着させる銅張積層板の製造方法において、前記銅箔の表面が、以下のX線光電子分光測定を行って求められる、ニッケル濃度と銅濃度との比(CNi/CCu)が0.40以上であり、以下のX線光電子分光測定により、ケイ素が実質的に検出されないものを用いることを特徴とする銅張積層板の製造方法。 <X線光電子分光測定> 銅箔表面にX線を照射し、光電子取出し角が試料表面から35°の条件で光電子を測定し、サテライトピークを含むNi2p3/2のピーク面積からニッケル濃度CNi(atom%)を求め、Cu2p3/2のピーク面積から銅濃度CCu(atom%)を求めて、Si2pのピーク面積からケイ素濃度CSi(atom%)を求めて、これらの値からニッケル濃度と銅濃度との比(CNi/CCu)を求める。また、Si2pのピークからケイ素濃度CSi(atom%)を求め、銅濃度CCuとの比(CSi/CCu)が0.01未満のとき、ケイ素が実質的に検出されないとする。
IPC (4件)：
B32B 15/08 ,  B32B 15/09 ,  C23C 30/00 ,  H05K 1/09
FI (4件)：
B32B15/08 J ,  B32B15/08 104Z ,  C23C30/00 A ,  H05K1/09 A
Fターム (41件)：
4E351AA02 ,  4E351BB01 ,  4E351BB30 ,  4E351DD04 ,  4E351DD19 ,  4E351DD54 ,  4E351DD55 ,  4E351GG01 ,  4E351GG20 ,  4F100AA00B ,  4F100AA31 ,  4F100AB11A ,  4F100AB16A ,  4F100AB17A ,  4F100AB17C ,  4F100AB33A ,  4F100AB33C ,  4F100AS00B ,  4F100BA03 ,  4F100BA06 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100CA23B ,  4F100EH46B ,  4F100EJ423 ,  4F100GB43 ,  4F100JJ03 ,  4F100JL11 ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4K044AA06 ,  4K044AB02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA21 ,  4K044BB01 ,  4K044BC05 ,  4K044CA11 ,  4K044CA13 ,  4K044CA15 ,  4K044CA18 ,  4K044CA53
引用特許：
出願人引用 (4件)
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