メタライズAlN基板

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：波多野久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-271931
公開番号（公開出願番号）：特開2002-080287
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
要約：

【要約】【課題】メタライズ層の抵抗値のばらつきを低減して、耐熱サイクル特性を向上させたメタライズAlN基板を得る。【解決手段】AlN基板表面にタングステンおよびモリブデンのいずれかの高融点金属を主成分とするメタライズ層を備え、このメタライズ層の厚さ方向を長辺とする縦、横、高さがそれぞれ5μm、5μm、10μmである直方体を単位体積とした場合に、この単位体積あたりに3〜10個の割合でAlN粒子がメタライズ層中に分散していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

AlN基板表面にタングステンおよびモリブデンのいずれかの高融点金属を主成分とするメタライズ層を備え、このメタライズ層の厚さ方向を長辺とする縦、横、高さがそれぞれ5μm、5μm、10μmである直方体を単位体積とした場合に、この単位体積あたりに3〜10個の割合でAlN粒子がメタライズ層中に分散していることを特徴とするメタライズAlN基板。

IPC (2件)：

C04B 41/88 , H01L 23/373

FI (3件)：

C04B 41/88 C , C04B 41/88 Q , H01L 23/36 M

Fターム (3件)：

5F036AA01 , 5F036BB08 , 5F036BD14

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-281089
窒化アルミニウム質基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-165888 出願人：京セラ株式会社
特開昭61-291480

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