特許

J-GLOBAL ID：200903016445843503

ITOスパッタリングターゲット、並びにITO焼結体及び透明導電膜の製造方法

発明者： 内海 健太郎 ,  高畑 努
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282585
公開番号（公開出願番号）：特開2000-256842
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2000年09月19日
要約：

【要約】【課題】 通常のスパッタリング法でITO薄膜を製造しても、抵抗率が極めて低いITO薄膜を得ることができるITOスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 焼結体の焼結密度が7.08g/cm3以上で、酸素の含有量がO/(In+Sn+O)の原子比で62%以上であるITO焼結体をスパッタリングターゲットとして使用することにより低抵抗率の膜を得ることができ、このような焼結体は、焼結をオゾンと酸素との混合ガス雰囲気下で行うことにより製造することができる。

請求項（抜粋）：

実質的にインジウム、スズ、および酸素からなり、焼結体の焼結密度が7.08g/cm3以上で、酸素の含有量がO/(In+Sn+O)の原子比で62%以上であるITO焼結体からなるITOスパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/457 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 D ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/00 R

Fターム (13件)：

4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA16 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-224163
  
• ITO焼結体の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-341845   出願人：東ソー株式会社
• ITO焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-072312   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 特開平4-224163