特許

J-GLOBAL ID：200903016466436118

半導体装置

発明者： 平野 尚彦 ,  手嶋 孝紀 ,  中瀬 好美 ,  三浦 昭二
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-312615
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258166
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 絶縁構成や熱伝達構成を簡単化して、製造コストを低減し、また、放熱性を向上させる。【解決手段】 本発明の半導体装置11は、半導体素子12の裏面側に接合され電極と放熱を兼ねる第1の金属体13と、半導体素子12の表面側に接合され電極と放熱を兼ねる第2の金属体14とを備え、全体を樹脂17でモールドしたものにおいて、モールド成形体18の1つの平面部19に、第1の金属体13及び第2の金属体14を露出させるように構成したものである。この構成によれば、モールド成形体18の1つの平面部19に露出している第1の金属体13及び第2の金属体14に対してだけ、絶縁構成や熱伝達構成を施せば良い。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、この半導体素子の裏面側に接合され電極と放熱を兼ねる第1の金属体と、前記半導体素子の表面側に接合され電極と放熱を兼ねる第2の金属体とを備え、全体を樹脂でモールドして成る半導体装置において、モールド成形体の1つの平面部に、前記第1の金属体及び前記第2の金属体を露出させるように構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/34 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/48 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (6件)：

H01L 23/34 A ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/28 J ,  H01L 23/48 G ,  H01L 23/36 C ,  H01L 25/04 C

Fターム (6件)：

4M109AA01 ,  4M109BA02 ,  4M109DB03 ,  5F036AA01 ,  5F036BB09 ,  5F036BE01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 樹脂封止型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-112780   出願人：日本インター株式会社
• 面実装型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-215252   出願人：日本インター株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-021632   出願人：三洋電機株式会社