半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-021632
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243594
出願日： 2002年01月30日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】実装面積を縮小し、ワイヤレス化した小型のパッケージを得ると共に、微細な導電パターン形状を実現できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】支持基板にリソグラフィー技術およびエッチング技術により金属膜を加工して導電パターンを形成し、半導体チップを固着後、金属片で半導体チップと導電パターンを接続する。絶縁性樹脂により封止したのち、支持基板を除去して導電パターンを絶縁性樹脂より露出させる。微細な導電パターンの形成が可能となり、パッケージの小型化および実装面積を低減し放熱特性も向上できる。

請求項（抜粋）：

絶縁性支持基板上に所望の形状を有する複数の導電パターンを形成する工程と、前記導電パターン上に半導体チップを固着し、該半導体チップの電極と前記導電パターンを接続する工程と、絶縁性樹脂により前記支持基板上の複数の前記半導体チップを一括して封止する工程と、前記支持基板を除去し、前記絶縁性樹脂裏面より前記導電パターンを露出する工程と、前記絶縁性樹脂をダイシングし個々の前記半導体チップの固着領域ごとに分離する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 23/48 , H01L 23/12 501 , H01L 25/04 , H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/48 G , H01L 23/12 501 V , H01L 25/04 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-161724
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-084832 出願人：ソニー株式会社
特開平3-094459

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