特許

J-GLOBAL ID：200903016475937936

化合物半導体素子

発明者： 藤本 英俊 ,  大場 康夫 ,  波多腰 玄一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206362
公開番号（公開出願番号）：特開平10-145006
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、基板と窒化物系化合物半導体層との間の格子欠陥の発生と電圧上昇とを阻止し、特性の向上を図る。【解決手段】 炭化珪素基板と窒化物系化合物半導体層とを備えた化合物半導体素子において、炭化珪素基板(11)と窒化物系化合物半導体層(13)との間に、炭化珪素と窒化物系化合物半導体とからなる中間層(12)を備えた化合物半導体素子。

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板と窒化物系化合物半導体層とを備えた化合物半導体素子において、前記炭化珪素基板と前記窒化物系化合物半導体層との間に、炭化珪素と窒化物系化合物半導体とからなる中間層を備えたことを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/04 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/04 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• III族窒化物の能動層をもつ長寿命垂直構造発光ダイオード
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-510943   出願人：クリー・リサーチ,インコーポレイテッド
• 量子井戸型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-314770   出願人：旭化成工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-013393   出願人：シャープ株式会社