特許
J-GLOBAL ID：200903060115630731
III族窒化物の能動層をもつ長寿命垂直構造発光ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥山 尚男 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-510943
公開番号（公開出願番号）：特表平10-506234
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：
【要約】可視スペクトルの青色部分で発光し、寿命が長いという特徴をもつ発光ダイオードであり、導電性炭化ケイ素基板と、炭化ケイ素基板へのオーム接触部と、基板上の導電性バッファ層と、バッファ層上のpn接合を含む2重ヘテロ構造とから成る。この導電性バッファ層は、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、AとBがIII族元素で、xが0、1または0と1の間の分数である式AxB1-xNの3元III族窒化物、および、そのような3元III族窒化物と炭化ケイ素の合金からなる群から選択される。上記2重ヘテロ構造では、能動層とヘテロ構造層が2元III族窒化物と3元III族窒化物から選択される。
請求項（抜粋）：
可視スペクトルの青色部分で発光し寿命が長い特徴をもつ発光ダイオードであって、 導電性炭化ケイ素基板(21)と、 前記炭化ケイ素基板へのオーム接触部(22)と、 前記基板(21)上の導電性バッファ層(23)と、ここで、この導電性バッファ層は、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、式AxB1-xNの3元III族窒化物(式中、AとBがIII族元素で、xが0、1または0と1の間の分数である)、式AxByC1-x-yNの4元III族窒化物(式中、A、B、CがIII族元素で、xとyが0、1または0と1の間の分数であり、(x+y)が1未満である)、およびそのような3元および4元III族窒化物と炭化ケイ素の合金から成る群から選択され、 p型層とn型層が2元III族窒化物と3元III族窒化物から成る群から選択される前記バッファ層上のpn接合ダイオード構造(24)と、を含んでなる前記発光ダイオード。
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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